Главная страница Продукцияgaas epi wafer undoped substrates онлайн производитель

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(61)

Вафля Sic эпитаксиальная
(28)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Сертификация

КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

gaas epi wafer undoped substrates онлайн производство

(6)

2-дюймовая пластина GaAs Epi Wafer GaAs нелегированные подложки VGF
контакт

Подробнее

2022-09-27 12:00:48

Вафля ГаАс Эпи ВГФ 2инч нелегированная вытравленная стороной субстратов отполированная
контакт

Подробнее

2022-09-27 17:19:36

субстраты вафли 17mm 2inch GaAs Epi Undoped 50.8mm
контакт

Подробнее

2022-09-27 17:18:41

вафля 0.4E18 GaAs Epi субстратов 2inch GaAs Undoped к 1E18
контакт

Подробнее

2022-10-09 09:53:31

Вафля UKAS GaAs Si вафли смеси 2inch GaAs Epi полупроводника
контакт

Подробнее

2022-09-27 17:18:19

Оптическая связь Светодиоды на подложке из арсенида галлия
контакт

Подробнее

2022-10-09 09:53:08

Page 1 of 1

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

gaas epi wafer undoped substrates онлайн производство

2-дюймовая пластина GaAs Epi Wafer GaAs нелегированные подложки VGF
контакт

Вафля ГаАс Эпи ВГФ 2инч нелегированная вытравленная стороной субстратов отполированная
контакт

субстраты вафли 17mm 2inch GaAs Epi Undoped 50.8mm
контакт

вафля 0.4E18 GaAs Epi субстратов 2inch GaAs Undoped к 1E18
контакт

Вафля UKAS GaAs Si вафли смеси 2inch GaAs Epi полупроводника
контакт

Оптическая связь Светодиоды на подложке из арсенида галлия
контакт

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский