Главная страница Продукцияflat edge patterned sapphire substrates онлайн производитель

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(65)

Вафля Sic эпитаксиальная
(39)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Сертификация

КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

flat edge patterned sapphire substrates онлайн производство

(10)

Сапфир плоского угла края 16мм сделал по образцу переднюю поверхность субстратов
контакт

Flat Edge Angle 16±1.0mm Patterned Sapphire Substrates Front Surface Roughness ≤0.25nm 2inch Patterned Sapphire Substrates,LED Chip,Substrate Material Patterned Sapphire Substrates (PSS) are fabricated and used ... Подробнее

2022-10-09 10:43:37

UKAS сделало по образцу угол края субстратов сапфира плоский
контакт

50.80±0.10mm Patterned Sapphire Substrates Flat Edge Angle A-Plane±0.2o 2inch Patterned Sapphire Substrates,LED Chip,Substrate Material The efficacy enhancement of GaN-based LEDs with the patterned-sapphire ... Подробнее

2022-10-09 10:45:47

Задняя шероховатость поверхности 0.8um к 1.2um сделала по образцу ширину 16mm субстратов сапфира
контакт

Back Surface Roughness 0.8~1.2μm Patterned Sapphire Substrates Flat Edge Width 16±1.0mm 2inch Patterned Sapphire Substrates,LED Chip,Substrate Material Patterned Sapphire Substrates (PSS) are micro-patterned ... Подробнее

2022-09-27 16:46:21

50,80мм сделанные по образцу сапфировые подложки 430ум плоскость
контакт

50.80±0.10mm Patterned Sapphire Substrates 430±10μm A-Plane±0.2o 2inch Patterned Sapphire Substrates,LED Chip,Substrate Material With the breakthrough of the patterned-sapphire substrate technique, the efficacy ... Подробнее

2022-09-27 16:47:10

Сапфир с плоским узором покрывает ЛУЧОК -8 - кромка 0 мкм круглая
контакт

A-plane±0.2o Patterned Sapphire Substrates BOW ≤-8~0μm Edge Round The formation of LEDs on patterned sapphire substrates is the most cost-effective method for manufacturing such devices. These LEDs exhibit high... Подробнее

2022-10-09 10:43:24

0.8um к 1.2um сделало по образцу субстрат приведенный сапфира вокруг края
контакт

Back Surface Roughness 0.8~1.2μm Patterned Sapphire Substrates Round Edge 2inch Patterned Sapphire Substrates,LED Chip,Substrate Material Patterned Sapphire Substrates (PSS) is a micro-patterned sapphire ... Подробнее

2022-09-27 16:46:38

Сделанный по образцу субстрат сапфира вафли сапфирового стекла 2inch
контакт

A-Plane±0.2o Patterned Sapphire Substrates BOW≤-8~0μM Back Surface Roughness 0.8~1.2μm 2inch Patterned Sapphire Substrates,LED Chip,Substrate Material The regular patterns created on the sapphire substrate ... Подробнее

2022-10-09 10:45:33

50.80mm сделали по образцу отполированную толщину 440um субстратов сапфира
контакт

Dimension 50.80±0.10mm Patterned Sapphire Substrates Thickness 430±10μm 2inch Patterned Sapphire Substrates,LED Chip,Substrate Material Patterned Sapphire Substrates (PSS) is micro-patterned sapphire substrate ... Подробнее

2022-09-27 16:46:00

Назад Лазерное изготовление узорчатой сапфировой подложки PSS TTV 5um
контакт

Back Laser Making Patterned Sapphire Substrates BOW ≤-8~0μm TTV≤5μm 2inch Patterned Sapphire Substrates,LED Chip,Substrate Material And, the enhancement in the internal quantum efficiency benefits from the ... Подробнее

2022-09-27 16:46:55

Сделанный по образцу субстрат 50.80mm обломока СИД субстратов субстрата сапфира 2inch 2inch
контакт

2inch Patterned Sapphire Substrates,LED Chip,Substrate Material Patterned Sapphire Substrates (PSS) are fabricated and used in GaN-based LEDs in order to increase the internal quantum efficiency by reducing GaN ... Подробнее

2022-10-09 10:43:12

Page 1 of 1

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

flat edge patterned sapphire substrates онлайн производство

Сапфир плоского угла края 16мм сделал по образцу переднюю поверхность субстратов
контакт

UKAS сделало по образцу угол края субстратов сапфира плоский
контакт

Задняя шероховатость поверхности 0.8um к 1.2um сделала по образцу ширину 16mm субстратов сапфира
контакт

50,80мм сделанные по образцу сапфировые подложки 430ум плоскость
контакт

Сапфир с плоским узором покрывает ЛУЧОК -8 - кромка 0 мкм круглая
контакт

0.8um к 1.2um сделало по образцу субстрат приведенный сапфира вокруг края
контакт

Сделанный по образцу субстрат сапфира вафли сапфирового стекла 2inch
контакт

50.80mm сделали по образцу отполированную толщину 440um субстратов сапфира
контакт

Назад Лазерное изготовление узорчатой сапфировой подложки PSS TTV 5um
контакт

Сделанный по образцу субстрат 50.80mm обломока СИД субстратов субстрата сапфира 2inch 2inch
контакт

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский