• Russian
    English
    French
    German
    Italian
    Russian
    Spanish
    Portuguese
    Dutch
    Greek
    Japanese
    Korean
    Arabic
    Turkish
    Polish
Отправить запрос |
Главная страница ПродукцияВафля GaN эпитаксиальная

Нелегированная эпитаксиальная пластина GaN

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная

(65)

Вафля Sic эпитаксиальная

(39)

Эпи-пластина GaAs

(15)

CVD-алмазные подложки

(15)

Быстрая термальная обжигая система

(2)

Тестер датчика Холла

(3)

Вафля нитрида алюминия

(21)

Обломок лазерного диода

(10)

Кремниевый карбид Кристл

(12)

Ga2O3 пластина

(13)

кремниевая пластина

(26)

Вафля сапфира

(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира

(10)

Держатель вафли тефлона

(1)

Машина для нарезки вафель

(5)
Самые лучшие продукты
Субстрат GaN одиночный кристаллический

Субстрат GaN одиночный кристаллический

Нелегированная эпитаксиальная пластина GaN

Нелегированная эпитаксиальная пластина GaN

Субстрат GaN стороны c

Субстрат GaN стороны c

Сертификация
КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты
Оставьте нам сообщение

Нелегированная эпитаксиальная пластина GaN

Нелегированная эпитаксиальная пластина GaN
Нелегированная эпитаксиальная пластина GaN

Большие изображения :  Нелегированная эпитаксиальная пластина GaN

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Сучжоу Китай
Фирменное наименование: GaNova
Сертификация: UKAS/ISO9001:2015
Оплата и доставка Условия:
Упаковывая детали: Вакуумная упаковка в чистом помещении класса 10000, в кассетах по 6 шт. или в одинарных вафельных ко
Время доставки: 3-4 рабочих дня
Условия оплаты: T/T
Поставка способности: 10000pcs/Month
контакт

Нелегированная эпитаксиальная пластина GaN

описание
Размеры: 10 х 10,5 мм² Толщина: 350 ±25µm
Название продукта: Субстрат GaN одиночный кристаллический Смычок: - ≤ 10µm СМЫЧКА ≤ 10µm
Плотность дефекта макроса: ² 0cm⁻ Годная к употреблению область: > 90% (исключение края)
Выделить:

Не легированная эпитаксиальная пластина GaN

,

монокристаллическая пластина n-типа

,

эпитаксиальная пластина GaN 10 x 10

10*10,5 мм² С-образная поверхность Нелегированная отдельно стоящая монокристаллическая подложка GaN n-типа Удельное сопротивление < 0,1 Ом·см Силовое устройство/лазер

 


Обзор
Подложка из нитрида галлия (GaN) представляет собой высококачественную монокристаллическую подложку.Он изготовлен с использованием оригинального метода HVPE и технологии обработки пластин, которая изначально разрабатывалась в течение многих лет.Особенности: высокая кристалличность, хорошая однородность и превосходное качество поверхности.Подложки GaN используются для приложений LD (фиолетовый, синий и зеленый).
Кроме того, продвинулись разработки в области применения силовых и высокочастотных электронных устройств.

 

10 х 10,5 мм2Отдельно стоящие подложки GaN
Элемент GaN-FS-CU-S10 GaN-FS-CN-S10 GaN-FS-C-SI-S10

Нелегированная эпитаксиальная пластина GaN 0

Примечания:
Угол дуги окружности (R < 2 мм) используется для различения граней Ga и N.
Размеры 10 х 10,5 мм2
Толщина 350 ±25 мкм
Ориентация Плоскость С (0001) под углом к ​​оси М 0,35 ±0,15°
Тип проводимости N-тип N-тип Полуизолирующий
Сопротивление (300K) < 0,1 Ом·см < 0,05 Ом·см > 106Ом·см
ТТВ ≤ 10 мкм
Поклон - 10 мкм ≤ BOW ≤ 10 мкм
Шероховатость поверхности Ga Face < 0,2 нм (полированный)
или < 0,3 нм (полировка и обработка поверхности для эпитаксии)
N Шероховатость лицевой поверхности 0,5 ~ 1,5 мкм
вариант: 1~3 нм (мелкий помол);< 0,2 нм (полированный)
Плотность дислокации От 1 х 105до 3 х 106см-2(рассчитано по CL)*
Плотность макродефектов 0 см-2
Полезная площадь > 90% (краевое исключение)
Упаковка Упаковано в чистом помещении класса 100, в контейнере по 6 шт., в атмосфере азота.

*Национальные стандарты Китая (GB/T32282-2015)

 

 

Нелегированная эпитаксиальная пластина GaN 1

 

О нас

Мы специализируемся на переработке различных материалов в пластины, подложки и индивидуальные детали из оптического стекла. Компоненты широко используются в электронике, оптике, оптоэлектронике и многих других областях.Мы также тесно сотрудничаем со многими отечественными и зарубежными университетами, научно-исследовательскими институтами и компаниями, предоставляя индивидуальные продукты и услуги для их научно-исследовательских проектов.Наше видение - поддерживать хорошие отношения сотрудничества со всеми нашими клиентами благодаря нашей хорошей репутации.

 

 

Часто задаваемые вопросы

В: вы торговая компания или производитель?
Мы фабрика.
Q: Как долго ваше время доставки?
Обычно это 3-5 дней, если товар есть на складе.
или 7-10 дней, если товара нет на складе, в зависимости от количества.
Q: Предоставляете ли вы образцы?это бесплатно или дополнительно?
Да, мы можем предложить образец бесплатно, но не оплачиваем стоимость перевозки.
В: Каковы ваши условия оплаты?
Оплата <=5000USD, 100% предоплата.
Paymen> = 5000USD, 80% T/T заранее, остаток перед отправкой.

тег:

Вафля полупроводника нитрида галлия,

Свободные стоящие субстраты GaN,

Голубая вафля СИД GaN эпитаксиальная

Контактная информация
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Контактное лицо: Xiwen Bai (Ciel)

Телефон: +8613372109561

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

около

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | КИТАЙ хороший качество Вафля GaN эпитаксиальная поставщик. © 2023 - 2025 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.