Главная страница Продукция Вафля нитрида алюминия

Ранг JDCD02-001-004 10*10mm2 AlN одиночного Кристл 400±50μM S/P/R

Name: Ранг JDCD02-001-004 10*10mm2 AlN одиночного Кристл 400±50μM S/P/R
Brand: Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
SKU: JDCD02-001-004
Price: 1,000.00 USD
Availability: InStock

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(65)

Вафля Sic эпитаксиальная
(39)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Сертификация

КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

Ранг JDCD02-001-004 10*10mm2 AlN одиночного Кристл 400±50μM S/P/R

Большие изображения : Ранг JDCD02-001-004 10*10mm2 AlN одиночного Кристл 400±50μM S/P/R

Подробная информация о продукте:

Место происхождения:	Сучжоу Китай
Фирменное наименование:	GaNova
Сертификация:	UKAS/ISO9001:2015
Номер модели:	JDCD02-001-004

Оплата и доставка Условия:

Упаковывая детали:	Вакуумная упаковка в чистых помещениях класса 10000, в кассетах по 25 шт. или в одинарных вафельных
Условия оплаты:	T/T

контакт

Ранг JDCD02-001-004 10*10mm2 AlN одиночного Кристл 400±50μM S/P/R

описание

Название продукта:	Монокристалл AlN	Диаметр (mm):	10x10
Толщина (μm):	400±50	Форма Кристл:	2H
Шершавость:	Al лицевая сторона: ≤0,5 нм N лицевая сторона (задняя): ≤1,2 мкм	Возникновение:	Квадратная форма
Выделить:	400±50μM AlN однокристаллический , 10*10мм2 AlN однокристаллический

Ранг JDCD02-001-004 10*10mm2 AlN одиночного Кристл 400±50μM S/P/R

Применения субстрата AlN одиночного Кристл

Широко использованный в подготовке высокой температуры, частота коротковолнового диапазона, электронные устройства наивысшей мощности. Важный материал сини и ультрафиолетов светоизлучающий; Высокая термальная проводимость, высокая точка плавления, высокая резистивность, сильное поле нервного расстройства и низкий диэлектрический коэффициент.

*субстрат нитрида алюминия 1010mm2 одиночный кристаллический**
Спецификации Кристл	Значение параметра
Диаметр (mm)	10x10
Толщина (μm)	400±50
Форма Кристл	2H
Polytype	{0001} ±0.5°
Поверхностный полировать	Алюминиевая поверхность: химический полировать (двойной полировать можно подгонять)
Шершавость	Сторона Al: ≤0.5nm Сторона n (задняя): ≤1.2μm
возникновение	квадратная форма
Качественная ранг	Ранг s (супер)	Ранг p (Prouduction)	Ранг r (исследование)
Width@ высоты HRXRD половинное {0002} (arcsec)	≤150	≤300	≤500
Width@ высоты HRXRD половинное {10-12} (arcsec)	≤100	≤200	≤400
абсорбция coefficient@265nm (см-1)	≤50	≤70	≤100
Исключение края (mm)	1	1	1
Выделяет	Никакие	Никакие	Никакие
Обломоки	Никакие	Никакие	≤3 кумулятивное ≤1.0mm
TUA	≥90%
TTV (μm)	≤30
Искривление (μm)	≤30
Смычок (μm)	≤30
Отказы	Нет, нагой глаз, сильный свет
Загрязнение	Нет, нагой глаз, радиация
пакет	Монолитовая коробка вафли

О нас

Мы специализируем в обработке разнообразие материалов в вафли, субстраты и подгонянное оптически стекло parts.components широко используемые в электронике, оптике, opto электронике и много других полей. Мы также работали близко с много отечественных и международные университеты, научно-исследовательские институты и компании, обеспечивают подгонянные продукты и услуга для их проектов НИОКР. Наше зрение к поддержанию хорошего отношения сотрудничества с нашими всеми клиентами нашими хорошими репутациями.

вопросы и ответы

Q: Вы торговая компания или изготовитель?
Мы фабрика.
Q: Сколько времени ваш срок поставки?
Вообще 3-5 дней если товары в запасе.
или 7-10 дней если товары нет в запасе, то, оно согласно количеству.
Q: Вы обеспечиваете образцы? он свободно или дополнительные?
Да, мы смогли предложить обязанность образца бесплатно но не оплачиваем цену перевозки.
Q: Что ваши условия платежа?
Оплата <> >=5000USD оплаты, 80% T/T заранее, баланс перед пересылкой.

тег:

Контактное лицо: Xiwen Bai (Ciel)

Телефон: +8613372109561

Другие продукты

1" химическая полировка вафли 400ум с/п/р нитрида алюминия АлН

Название продукта: Монокристалл AlN

Шершавость: Al лицевая сторона: ≤0,5 нм N лицевая сторона (задняя): ≤1,2 мкм

Возникновение: Позиционирующая кромка кругового ремня

ТУА: ≥90%

форма 25.4mm 1inch AlN одиночное Кристл 400um 2H Кристл

Возникновение: Позиционирующая кромка кругового ремня

Название продукта: Вафля нитрида алюминия

Диаметр (мм): 25.4±0.5

Толщина (мкм): 400±50

вафля 450um нитрида алюминия 1inch AlN одиночного Кристл

ТУА: ≥90%

Polytype: {0001}±0,5°

Название продукта: Вафля нитрида алюминия

Диаметр: 25,4±0,5 мм

C Plane AIN на отполированной стороне вафли сапфира одиночной или двойной

Размеры: φ50.8mm±0.1mm, (1-100), сторона Al, обнаруживая местонахождение край 16.0± 1.0mm

Субстрат: Сапфир (одиночная или двойная сторона отполировала)

Тип кондукции: Полу-изолировать

Граничная зона исключения: <2 мм

Семи изолируя вафля АИН нитрида алюминия на поверхности вафли сапфира

Размеры: φ50.8mm±0.1mm, (1-100), сторона Al, обнаруживая местонахождение край 16.0± 1.0mm

Субстрат: Сапфир (одиночная или двойная сторона отполировала)

Тип кондукции: Полу-изолировать

Граничная зона исключения: <2 мм

Ранг JDCD02-001-004 10*10mm2 AlN одиночного Кристл 400±50μM S/P/R

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

Ранг JDCD02-001-004 10*10mm2 AlN одиночного Кристл 400±50μM S/P/R

Ранг JDCD02-001-004 10*10mm2 AlN одиночного Кристл 400±50μM S/P/R

400±50μM AlN однокристаллический

10*10мм2 AlN однокристаллический

Нитрид алюминия сапфира с a,

ISO вафли нитрида алюминия,

отполированные вафли сапфира

1" химическая полировка вафли 400ум с/п/р нитрида алюминия АлН

форма 25.4mm 1inch AlN одиночное Кристл 400um 2H Кристл

вафля 450um нитрида алюминия 1inch AlN одиночного Кристл

C Plane AIN на отполированной стороне вафли сапфира одиночной или двойной

Семи изолируя вафля АИН нитрида алюминия на поверхности вафли сапфира

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский