Russian

English

French

German

Italian

Russian

Spanish

Portuguese

Dutch

Greek

Japanese

Korean

Arabic

Turkish

Polish

Отправить запрос |

Главная страница Продукцияwafer cassette carrier онлайн производитель

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(65)

Вафля Sic эпитаксиальная
(39)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Сертификация

КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

wafer cassette carrier онлайн производство

(9)

6-дюймовый тефлоновый вафельный держатель для очистки цветочных корзин и ручек
контакт

Подробнее

2022-10-09 10:46:01

Вафля UKAS GaAs Si вафли смеси 2inch GaAs Epi полупроводника
контакт

Подробнее

2022-09-27 17:18:19

субстраты VGF S-C-N вафли 2inch GaAs 18mm GaAs Si Undoped
контакт

Подробнее

2022-10-09 09:53:40

150,0 мм + форма кристалла вафли 4Х СиК 0мм/-0.2мм эпитаксиальная кристаллическая
контакт

Подробнее

2022-10-24 10:20:57

4 дюйма N типа Si-данное допинг GaN на СИД см вафли SSP Resistivity<0.05 Ω сапфира, лазере, вафле PIN эпитаксиальной
контакт

Подробнее

2022-10-08 17:33:16

Mg-данная допинг 4-Inch вафля PIN лазера СИД см субстратов SSP Resistivity~10Ω GaN/сапфира эпитаксиальная
контакт

Подробнее

2024-07-31 15:01:27

4-дюймовый легированный UID GaN N-типа на сапфировой пластине SSP Удельное сопротивление > 0,5 Ом·см Светодиод, лазер, эпитаксиальная пластина PIN
контакт

Подробнее

2024-11-18 19:17:19

4-дюймовый легированный магнием GaN P-типа на сапфировой пластине SSP Удельное сопротивление ~ 10 Ом См Светодиодный лазер PIN Эпитаксиальная пластина
контакт

Подробнее

2024-07-31 15:01:27

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN
контакт

Подробнее

2024-10-14 17:06:30

Page 1 of 1

около

Вафля GaN эпитаксиальная: Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI; Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см; 2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная: Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм; край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум; C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский

Оставить сообщение