Отправить запрос |
Главная страница Продукцияsilicon carbide crystal p grade онлайн производитель
Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная

(65)

Вафля Sic эпитаксиальная

(39)

Эпи-пластина GaAs

(15)

CVD-алмазные подложки

(15)

Быстрая термальная обжигая система

(2)

Тестер датчика Холла

(3)

Вафля нитрида алюминия

(21)

Обломок лазерного диода

(10)

Кремниевый карбид Кристл

(12)

Ga2O3 пластина

(13)

кремниевая пластина

(26)

Вафля сапфира

(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира

(10)

Держатель вафли тефлона

(1)

Машина для нарезки вафель

(5)
Сертификация
КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты
Оставьте нам сообщение

silicon carbide crystal p grade онлайн производство

(25)
Купить 6-дюймовая подложка 4H SiC N, тип P, SBD, класс 350 мкм онлайн производитель

6-дюймовая подложка 4H SiC N, тип P, SBD, класс 350 мкм
контакт

Подробнее
2022-10-24 10:23:04
Купить C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский онлайн производитель

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский
контакт

Подробнее
2022-10-24 10:26:24
Купить вафля 150.0mm +0mm/-0.2mm SiC эпитаксиальная отсутствие вторичной квартиры 3mm онлайн производитель

вафля 150.0mm +0mm/-0.2mm SiC эпитаксиальная отсутствие вторичной квартиры 3mm
контакт

Подробнее
2024-10-29 11:49:58
Купить тип субстрат 350,0 ± 25,0ум СиК ранга 4Х МОС вафли н 6инч 350,0 онлайн производитель

тип субстрат 350,0 ± 25,0ум СиК ранга 4Х МОС вафли н 6инч 350,0
контакт

Подробнее
2022-10-24 10:21:10
Купить эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 47,5 мм ± 1,5 мм онлайн производитель

эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 47,5 мм ± 1,5 мм
контакт

Подробнее
2022-10-24 10:23:40
Купить Политип Нет Разрешено SiC Эпитаксиальная пластина P-MOS P-SBD D Grade онлайн производитель

Политип Нет Разрешено SiC Эпитаксиальная пластина P-MOS P-SBD D Grade
контакт

Подробнее
2024-10-29 11:49:58
Купить Уровень 260μm p вафли полупроводника 2 дюймов для приборов микроволны приборов силы онлайн производитель

Уровень 260μm p вафли полупроводника 2 дюймов для приборов микроволны приборов силы
контакт

Подробнее
2022-10-24 10:25:55
Купить вафля ≤0.2 /cm2 0.015Ω 4H SiC эпитаксиальная•cm-0.025Ω•см 150,0 mm +0mm/-0.2mm онлайн производитель

вафля ≤0.2 /cm2 0.015Ω 4H SiC эпитаксиальная•cm-0.025Ω•см 150,0 mm +0mm/-0.2mm
контакт

Подробнее
2024-10-29 11:49:58
Купить вафля 150,0 mm +0mm/-0.2mm параллельное to<11-20>±1° 47,5 mm SiC ± 1,5 mm эпитаксиальная онлайн производитель

вафля 150,0 mm +0mm/-0.2mm параллельное to<11-20>±1° 47,5 mm SiC ± 1,5 mm эпитаксиальная
контакт

Подробнее
2024-10-29 11:49:58
Купить вафля 6inch SiC эпитаксиальная онлайн производитель

вафля 6inch SiC эпитаксиальная
контакт

Подробнее
2022-10-09 16:56:20
Page 2 of 3|< 1 2 3 >|
около

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | КИТАЙ хороший качество Вафля GaN эпитаксиальная поставщик. © 2023 - 2025 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.