Главная страница Продукцияdiode laser chip on submount онлайн производитель

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(65)

Вафля Sic эпитаксиальная
(39)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Сертификация

КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

diode laser chip on submount онлайн производство

(10)

Диодный лазерный чип COS 915 нм мощностью 10 Вт на конструкции с подкреплением
контакт

915nm 10W COS Diode Laser Chip On Submount Design Over recent years there has been extensive research into the various types of silicon based optical components required for on-chip optical interconnection. ... Подробнее

2022-09-22 15:11:09

Обломок лазера диода размера 94ум излучателя на пороговом течении 0.5А дизайна Субмаунта
контакт

Emitter Size 94μm Diode Laser Chip On Submount Design Threshold Current 0.5A 915nm 10W COS Diode Laser Chip On Submount Design With Efficiency packaging heat dissipation technology. High temperature resistance ... Подробнее

2022-09-26 11:34:28

Длина волны 915нм размера излучателя 94мкм обломока 1.0В/А полупроводника лазерного диода печатания лазера
контакт

Laser Printing Laser Diode Chip 1.0W/A Emitter Size 94μm Wavelength 915nm 915nm 10W COS Diode Laser Chip On Submount Design Chip on Submount COS Laser Diode employing AuSn bonding and P Down package with ... Подробнее

2022-09-22 15:10:25

Стандартный корпус для поверхностного монтажа Чип лазерного диода 1,0 Вт/А
контакт

Surface Mount Standard Package Laser Diode Chip 15-55℃ 1.0W/A 915nm 10W COS Diode Laser Chip On Submount Design The Chip on Submount COS Laser Diode employing AuSn bonding and P Down package with multiple ... Подробнее

2022-09-22 15:13:00

лазерные диоды 0.5A откалывают держатель длины волны 915nm печатания лазера поверхностный
контакт

0.5A Laser Diode Chip Laser Printing Wavelength 915nm Surface Mount Standard Package 915nm 10W COS Diode Laser Chip On Submount Design The material can be integrated by wafer bonding techniques and have ... Подробнее

2022-09-22 15:04:02

Эффективность 1.0В/А наклона печатания лазера обломока лазерного диода тока 0.5А порогового значения
контакт

Threshold Current 0.5A Laser Diode Chip Laser Printing Slope Efficiency 1.0W/A 915nm 10W COS Diode Laser Chip On Submount Design The light source is integrated by flip-chip bonding directly onto the Si ... Подробнее

2022-09-22 15:13:34

пакет держателя печатания обломока лазерного диода 915nm поверхностный стандартный
контакт

Laser Diode Chip Printing Surface Mount Standard Package 915nm 915nm 10W COS Diode Laser Chip On Submount Design Main application is medical, laser lighting, free space optical communication. The conversion ... Подробнее

2022-09-22 15:13:16

Пороговый ток 0.5A Эффективность преобразования мощности 58% чипа лазерного диода
контакт

Threshold Current 0.5A Laser Diode Chip Power Conversion Efficiency 58% 915nm 10W COS Diode Laser Chip On Submount Design On-chip integration of laser diodes and photodetectors with silicon nanowire waveguides ... Подробнее

2022-09-22 15:12:40

Сила 10W выхода степени рабочей температуры 15 до 55 обломока диода печатания лазера
контакт

Laser Printing Laser Diode Chip Operating Temperature 15-55℃ Output Power 10W 915nm 10W COS Diode Laser Chip On Submount Design Recent progress in high performance silicon large scale integration (Si-LSI) has ... Подробнее

2022-09-22 15:09:34

длина волны 915nm эффективности 1.0W/A наклона обломока лазерного диода 94um
контакт

94μm Laser Diode Chip Slope Efficiency 1.0W/A Wavelength 915nm 915nm 10W COS Diode Laser Chip On Submount Design For low power consumption it is essential that the output from the laser diode (LD) is efficientl... Подробнее

2022-10-09 10:04:51

Page 1 of 1

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

diode laser chip on submount онлайн производство

Диодный лазерный чип COS 915 нм мощностью 10 Вт на конструкции с подкреплением
контакт

Обломок лазера диода размера 94ум излучателя на пороговом течении 0.5А дизайна Субмаунта
контакт

Длина волны 915нм размера излучателя 94мкм обломока 1.0В/А полупроводника лазерного диода печатания лазера
контакт

Стандартный корпус для поверхностного монтажа Чип лазерного диода 1,0 Вт/А
контакт

лазерные диоды 0.5A откалывают держатель длины волны 915nm печатания лазера поверхностный
контакт

Эффективность 1.0В/А наклона печатания лазера обломока лазерного диода тока 0.5А порогового значения
контакт

пакет держателя печатания обломока лазерного диода 915nm поверхностный стандартный
контакт

Пороговый ток 0.5A Эффективность преобразования мощности 58% чипа лазерного диода
контакт

Сила 10W выхода степени рабочей температуры 15 до 55 обломока диода печатания лазера
контакт

длина волны 915nm эффективности 1.0W/A наклона обломока лазерного диода 94um
контакт

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский