Главная страница Продукцияblue led gan epitaxial wafer онлайн производитель

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(65)

Вафля Sic эпитаксиальная
(39)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Сертификация

КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

blue led gan epitaxial wafer онлайн производство

(15)

2 дюйма GaN на кремниевом зеленом светодиодном эпи вафле Галлиевый нитрид на кремниевом
контакт

Подробнее

2024-12-06 17:35:32

4inch GaN на сапфире вафли СИД вафли сапфира голубом зеленом плоском 100 mm
контакт

Подробнее

2022-10-08 17:16:14

Устройство питания 5x10mm2 Недопированный N-тип свободно стоящий однокристаллический субстрат GaN с сопротивлением 0,1 Ω·cm и BOW в пределах 10μm
контакт

Подробнее

2025-04-27 11:43:51

Ориентировка кристаллов C/M0.2 субстрата сапфира Thk 430um
контакт

Подробнее

2023-02-17 10:18:05

Плоская вафля Thk 440um субстрата сапфира длины (mm) обломок 16 СИД
контакт

Подробнее

2022-09-27 16:24:09

Page 2 of 2|< << 1 2 >> >|

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

blue led gan epitaxial wafer онлайн производство

2 дюйма GaN на кремниевом зеленом светодиодном эпи вафле Галлиевый нитрид на кремниевом
контакт

4inch GaN на сапфире вафли СИД вафли сапфира голубом зеленом плоском 100 mm
контакт

Устройство питания 5x10mm2 Недопированный N-тип свободно стоящий однокристаллический субстрат GaN с сопротивлением 0,1 Ω·cm и BOW в пределах 10μm
контакт

Ориентировка кристаллов C/M0.2 субстрата сапфира Thk 430um
контакт

Плоская вафля Thk 440um субстрата сапфира длины (mm) обломок 16 СИД
контакт

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский