КИТАЙ Эпи-пластина GaAs

• 

  JDCD10-001-005 2-дюймовые подложки из GaAs(111), легированные цинком

  Название продукта:GaAs-Si пластина

  Метод роста:ВГФ

  Тип поведения:S-C-N

  Контакт
• 

  JDCD10-001-003 2-дюймовые подложки GaAs(100), легированные цинком

  Название продукта:GaAs-Si пластина

  Ориентация:(100) 15°±0.5° с Toward<111>A

  Ориентация:ЭД[0-1-1]±0,5°

  Контакт
• 

  111) Si-данный допинг субстрат JDCD10-001-004 2inch GaAs (

  Название продукта:GaAs-Si пластина

  Угол ориентации:0°

  Ориентация:ЭД[0-1-1]±0,5°

  Контакт