КИТАЙ Эпи-пластина GaAs

• 

  JDCD10-001-003 2 дюйма GaAs ((100) Zn Допированные субстраты

  Название продукта:GaAs-Si пластина

  Ориентация:(100) 15°±0.5° с Toward<111>A

  Ориентация:ЭД[0-1-1]±0,5°

  Контакт
• 

  JDCD10-001-002 2 дюйма ГаА (100) Си допированные субстраты

  Название продукта:GaAs-Si пластина

  Метод роста:ВГФ

  Тип поведения:S-C-N

  Контакт
• 

  JDCD10-001-001 2-дюймовые GaAs (100) нелегированные подложки

  Название продукта:GaAs-Si пластина

  Метод роста:ВГФ

  Тип поведения:S-C-N

  Контакт