Отправить запрос |
Главная страница Продукцияsapphire substrate mirror polished онлайн производитель
Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная

(65)

Вафля Sic эпитаксиальная

(39)

Эпи-пластина GaAs

(15)

CVD-алмазные подложки

(15)

Быстрая термальная обжигая система

(2)

Тестер датчика Холла

(3)

Вафля нитрида алюминия

(21)

Обломок лазерного диода

(10)

Кремниевый карбид Кристл

(12)

Ga2O3 пластина

(13)

кремниевая пластина

(26)

Вафля сапфира

(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира

(10)

Держатель вафли тефлона

(1)

Машина для нарезки вафель

(5)
Сертификация
КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты
Оставьте нам сообщение

sapphire substrate mirror polished онлайн производство

(17)
Купить Вафля подложки сапфира Ал2О3 50мм особой чистоты Тхк 430мкм онлайн производитель

Вафля подложки сапфира Ал2О3 50мм особой чистоты Тхк 430мкм
контакт

Подробнее
2023-02-17 10:17:43
Купить Ориентировка кристаллов C/M0.2 субстрата сапфира Thk 430um онлайн производитель

Ориентировка кристаллов C/M0.2 субстрата сапфира Thk 430um
контакт

Подробнее
2023-02-17 10:18:05
Купить JDCD08-001-003 2 дюйма M плоский сапфирный субстрат вафель онлайн производитель

JDCD08-001-003 2 дюйма M плоский сапфирный субстрат вафель
контакт

Подробнее
2025-04-27 11:43:50
Купить JDCD08-001-002 2-дюймовый плоский сапфировый субстрат онлайн производитель

JDCD08-001-002 2-дюймовый плоский сапфировый субстрат
контакт

Подробнее
2025-04-27 11:43:50
Купить Оптоэлектроника Полировка сапфировой кристаллической пластины R Тип онлайн производитель

Оптоэлектроника Полировка сапфировой кристаллической пластины R Тип
контакт

Подробнее
2023-02-17 11:22:48
Купить Ориентация кристалла C/M0.2 Сапфировая пластина толщиной 440 мкм онлайн производитель

Ориентация кристалла C/M0.2 Сапфировая пластина толщиной 440 мкм
контакт

Подробнее
2022-09-26 16:02:07
Купить Тип R 50мм Сапфировая пластина Толщина 420мкм Длина (мм) 16 Светодиодный чип онлайн производитель

Тип R 50мм Сапфировая пластина Толщина 420мкм Длина (мм) 16 Светодиодный чип
контакт

Подробнее
2023-02-17 11:23:22
Page 2 of 2|< 1 2 >|
около

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | КИТАЙ хороший качество Вафля GaN эпитаксиальная поставщик. © 2023 - 2025 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.