Отправить запрос |
Главная страница Продукцияled sapphire substrate r9 онлайн производитель
Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная

(65)

Вафля Sic эпитаксиальная

(39)

Эпи-пластина GaAs

(15)

CVD-алмазные подложки

(15)

Быстрая термальная обжигая система

(2)

Тестер датчика Холла

(3)

Вафля нитрида алюминия

(21)

Обломок лазерного диода

(10)

Кремниевый карбид Кристл

(12)

Ga2O3 пластина

(13)

кремниевая пластина

(26)

Вафля сапфира

(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира

(10)

Держатель вафли тефлона

(1)

Машина для нарезки вафель

(5)
Сертификация
КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты
Оставьте нам сообщение

led sapphire substrate r9 онлайн производство

(13)
Купить Тип R 50мм Сапфировая пластина Толщина 420мкм Длина (мм) 16 Светодиодный чип онлайн производитель

Тип R 50мм Сапфировая пластина Толщина 420мкм Длина (мм) 16 Светодиодный чип
контакт

50mm Sapphire Substrate Wafer High Purity Al2O3(＞99.995%) Thickness 430 ± 10 μm JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430um, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 LED chip... Подробнее
2023-02-17 11:23:22
Купить Оптоэлектроника Полировка сапфировой кристаллической пластины R Тип онлайн производитель

Оптоэлектроника Полировка сапфировой кристаллической пластины R Тип
контакт

Thk 430μm 50mm Sapphire Substrate Wafer Crystal Orientation C/M0.2, OF Length (Mm) 16 LED Chip JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430μm, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 ... Подробнее
2023-02-17 11:22:48
Купить Зеркало вафли сапфира ориентации поверхности плоскости отполировало ЭПИ готовое онлайн производитель

Зеркало вафли сапфира ориентации поверхности плоскости отполировало ЭПИ готовое
контакт

A-Plane(11-20) Surface Orientation Sapphire Wafer Front Surface Quality Mirror Polished,EPI-Ready JDCD08-001-001 Diameter 50mm Sapphire substrate wafer , Thk 430μm, crystal orientation C/M0.2, OF length (mm) 16 ... Подробнее
2023-02-17 10:18:27
Page 2 of 2|< 1 2 >|
около

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | КИТАЙ хороший Качество Вафля GaN эпитаксиальная поставщик. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.