Отправить запрос |
Главная страница Продукцияheat sink cvd diamond substrates онлайн производитель
Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная

(65)

Вафля Sic эпитаксиальная

(39)

Эпи-пластина GaAs

(15)

CVD-алмазные подложки

(15)

Быстрая термальная обжигая система

(2)

Тестер датчика Холла

(3)

Вафля нитрида алюминия

(21)

Обломок лазерного диода

(10)

Кремниевый карбид Кристл

(12)

Ga2O3 пластина

(13)

кремниевая пластина

(26)

Вафля сапфира

(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира

(10)

Держатель вафли тефлона

(1)

Машина для нарезки вафель

(5)
Сертификация
КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты
Оставьте нам сообщение

heat sink cvd diamond substrates онлайн производство

(14)
Купить Содержание n 3 субстратов диаманта CVD X 3mm2 < 100ppb для теплоотвода онлайн производитель

Содержание n 3 субстратов диаманта CVD X 3mm2 < 100ppb для теплоотвода
контакт

3*3mm²*0.3mm Electronic Grade Single Crystal Diamond,N Content Подробнее
2022-10-09 09:54:10
Купить диамант 3.515г/км3 КВД пропускает свет 225нм к дальнему инфракрасному онлайн производитель

диамант 3.515г/км3 КВД пропускает свет 225нм к дальнему инфракрасному
контакт

3.515g/cm3 CVD Diamond Substrates Light Transmittance 225nm To Far Infrared 3*3mm²*0.3mm Electronic Grade Single Crystal Diamond,N Content Подробнее
2022-09-27 17:12:16
Купить Wm k 1000 | проводимость 2000 субстратов диаманта CVD термальная 300K онлайн производитель

Wm k 1000 | проводимость 2000 субстратов диаманта CVD термальная 300K
контакт

CVD Diamond Substrates Thermal conductivity 300K,Wm·K 1000~2000 3*3mm²*0.3mm Electronic Grade Single Crystal Diamond,N Content Подробнее
2022-09-27 17:13:12
Купить Диэлектрическая постоянная 5,5 субстратов диаманта CVD электронной ранга онлайн производитель

Диэлектрическая постоянная 5,5 субстратов диаманта CVD электронной ранга
контакт

Hole Mobility 3800 cm2/V·S Electronic Grade Single Crystal Diamond Dielectric Constant 5.5 3*3mm²*0.3mm Electronic Grade Single Crystal Diamond,N Content Подробнее
2022-09-27 17:12:44
Купить Ранг 70 до 120 субстратов диаманта CVD PGa одиночная кристаллическая электронная онлайн производитель

Ранг 70 до 120 субстратов диаманта CVD PGa одиночная кристаллическая электронная
контакт

70~120 single Crystal Electronic Grade Single Crystal Diamond 3*3mm²*0.3mm Electronic Grade Single Crystal Diamond,N Content Подробнее
2022-09-27 17:13:37
Купить Вафля электронной ранга Контент онлайн производитель

Вафля электронной ранга Контент
контакт

3*3mm²*0.3mm Electronic Grade Single Crystal Diamond,N Content Подробнее
2022-09-27 17:14:46
Купить XRD онлайн производитель

XRD
контакт

XRD Подробнее
2022-09-27 17:14:11
Купить Ранг Young субстрата модуля 1050PGa одиночного Кристл электронная онлайн производитель

Ранг Young субстрата модуля 1050PGa одиночного Кристл электронная
контакт

3*3mm²*0.3mm Electronic Grade Single Crystal Diamond,N Content Подробнее
2022-09-27 17:14:25
Купить JDCD05-001-004 3*3 мм2*0,5 мм Монокристаллический алмаз электронного качества, содержание азота онлайн производитель

JDCD05-001-004 3*3 мм2*0,5 мм Монокристаллический алмаз электронного качества, содержание азота
контакт

JDCD05-001-004 3*3mm2*0.5mm electronic grade single crystal diamond,N content Подробнее
2025-04-04 22:43:06
Купить Диамант одиночного Кристл ранга JDCD05-001-006 10*10mm2*0.5mm электронный, n Content&lt;100ppb, проводимость XRD&lt;0.015º термальная онлайн производитель

Диамант одиночного Кристл ранга JDCD05-001-006 10*10mm2*0.5mm электронный, n Content<100ppb, проводимость XRD<0.015º термальная
контакт

JDCD05-001-006 10*10mm2*0.5mm electronic grade single crystal diamond,N content Подробнее
2025-04-04 22:42:23
Page 1 of 2|< 1 2 >|
около

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | КИТАЙ хороший Качество Вафля GaN эпитаксиальная поставщик. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.