Отправить запрос |
Главная страница Продукцияga2o3 substrate single crystal онлайн производитель
Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная

(65)

Вафля Sic эпитаксиальная

(39)

Эпи-пластина GaAs

(15)

CVD-алмазные подложки

(15)

Быстрая термальная обжигая система

(2)

Тестер датчика Холла

(3)

Вафля нитрида алюминия

(21)

Обломок лазерного диода

(10)

Кремниевый карбид Кристл

(12)

Ga2O3 пластина

(13)

кремниевая пластина

(26)

Вафля сапфира

(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира

(10)

Держатель вафли тефлона

(1)

Машина для нарезки вафель

(5)
Сертификация
КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты
Оставьте нам сообщение

ga2o3 substrate single crystal онлайн производство

(13)
Купить полировать субстрата 0.6mm 0.8mm Ga2O3 одиночное Кристл одиночный онлайн производитель

полировать субстрата 0.6mm 0.8mm Ga2O3 одиночное Кристл одиночный
контакт

Подробнее
2024-10-29 11:49:58
Купить 10кс15мм2 УИД допилил полировать свободной стоящей вафли Га2О3 одиночной онлайн производитель

10кс15мм2 УИД допилил полировать свободной стоящей вафли Га2О3 одиночной
контакт

Подробнее
2022-09-27 16:57:32
Купить субстрат вафли Ga2O3 10x15mm одиночное Кристл 10x10mm онлайн производитель

субстрат вафли Ga2O3 10x15mm одиночное Кристл 10x10mm
контакт

Подробнее
2022-09-27 16:57:06
Page 2 of 2|< 1 2 >|
около

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | КИТАЙ хороший качество Вафля GaN эпитаксиальная поставщик. © 2023 - 2025 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.