Главная страница Продукцияelectronic grade cvd diamond substrates онлайн производитель

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(61)

Вафля Sic эпитаксиальная
(28)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Сертификация

КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

electronic grade cvd diamond substrates онлайн производство

(13)

Диэлектрическая постоянная 5,5 субстратов диаманта CVD электронной ранга
контакт

Подробнее

2022-09-27 17:12:44

диамант 3.515г/км3 КВД пропускает свет 225нм к дальнему инфракрасному
контакт

Подробнее

2022-09-27 17:12:16

Wm k 1000 | проводимость 2000 субстратов диаманта CVD термальная 300K
контакт

Подробнее

2022-09-27 17:13:12

Содержание n 3 субстратов диаманта CVD X 3mm2 < 100ppb для теплоотвода
контакт

Подробнее

2022-10-09 09:54:10

Ранг 70 до 120 субстратов диаманта CVD PGa одиночная кристаллическая электронная
контакт

Подробнее

2022-09-27 17:13:37

Ранг Young субстрата модуля 1050PGa одиночного Кристл электронная
контакт

Подробнее

2022-09-27 17:14:25

диамант 225nm одиночного Кристл ранга 3x3mm2 0.3mm электронный к длинноволновой части инфракрасной области
контакт

Подробнее

2022-09-27 17:12:26

225нм к содержанию н вафли диаманта ранга дальнего инфракрасного электронного одиночного Кристл
контакт

Подробнее

2022-09-27 17:13:55

Вафля электронной ранга Контент
контакт

Подробнее

2022-09-27 17:14:46

JDCD05-001-004 33 мм20,5 мм Монокристаллический алмаз электронного качества, содержание азота
контакт

Подробнее

2022-10-09 09:54:38

Page 1 of 2|< << 1 2 >> >|

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

electronic grade cvd diamond substrates онлайн производство

Диэлектрическая постоянная 5,5 субстратов диаманта CVD электронной ранга
контакт

диамант 3.515г/км3 КВД пропускает свет 225нм к дальнему инфракрасному
контакт

Wm k 1000 | проводимость 2000 субстратов диаманта CVD термальная 300K
контакт

Содержание n 3 субстратов диаманта CVD X 3mm2 < 100ppb для теплоотвода
контакт

Ранг 70 до 120 субстратов диаманта CVD PGa одиночная кристаллическая электронная
контакт

Ранг Young субстрата модуля 1050PGa одиночного Кристл электронная
контакт

диамант 225nm одиночного Кристл ранга 3x3mm2 0.3mm электронный к длинноволновой части инфракрасной области
контакт

225нм к содержанию н вафли диаманта ранга дальнего инфракрасного электронного одиночного Кристл
контакт

Вафля электронной ранга Контент
контакт

JDCD05-001-004 33 мм20,5 мм Монокристаллический алмаз электронного качества, содержание азота
контакт

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский