Отправить запрос |
Главная страница Продукцияelectronic grade cvd diamond substrates онлайн производитель
Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная

(65)

Вафля Sic эпитаксиальная

(39)

Эпи-пластина GaAs

(15)

CVD-алмазные подложки

(15)

Быстрая термальная обжигая система

(2)

Тестер датчика Холла

(3)

Вафля нитрида алюминия

(21)

Обломок лазерного диода

(10)

Кремниевый карбид Кристл

(12)

Ga2O3 пластина

(13)

кремниевая пластина

(26)

Вафля сапфира

(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира

(10)

Держатель вафли тефлона

(1)

Машина для нарезки вафель

(5)
Сертификация
КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты
Оставьте нам сообщение

electronic grade cvd diamond substrates онлайн производство

(14)
Купить Диамант одиночного Кристл ранга JDCD05-001-006 10*10mm2*0.5mm электронный, n Content<100ppb, проводимость XRD<0.015º термальная онлайн производитель

Диамант одиночного Кристл ранга JDCD05-001-006 10*10mm2*0.5mm электронный, n Content<100ppb, проводимость XRD<0.015º термальная
контакт

JDCD05-001-006 10*10mm2*0.5mm electronic grade single crystal diamond,N content Подробнее
2025-04-04 22:42:23
Купить 225нм к содержанию н вафли диаманта ранга дальнего инфракрасного электронного одиночного Кристл онлайн производитель

225нм к содержанию н вафли диаманта ранга дальнего инфракрасного электронного одиночного Кристл
контакт

225nm to far infrared Electronic Grade Single Crystal Diamond N Content Подробнее
2022-09-27 17:13:55
Купить JDCD05-001-005 5*5 мм2*0,5 мм Монокристаллический алмаз электронного качества, содержание азота онлайн производитель

JDCD05-001-005 5*5 мм2*0,5 мм Монокристаллический алмаз электронного качества, содержание азота
контакт

JDCD05-001-005 5*5mm2*0.5mm electronic grade single crystal diamond,N content Подробнее
2025-04-04 22:42:21
Купить Вафля электронной ранга Контент онлайн производитель

Вафля электронной ранга Контент
контакт

3*3mm²*0.3mm Electronic Grade Single Crystal Diamond,N Content Подробнее
2022-09-27 17:14:46
Page 2 of 2|< 1 2 >|
около

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | КИТАЙ хороший Качество Вафля GaN эпитаксиальная поставщик. © 2023 - 2026 Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.. All Rights Reserved.