Russian

English

French

German

Italian

Russian

Spanish

Portuguese

Dutch

Greek

Japanese

Korean

Arabic

Turkish

Polish

Отправить запрос |

Главная страница Продукцияcz silicon wafer онлайн производитель

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(61)

Вафля Sic эпитаксиальная
(28)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Сертификация

КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

cz silicon wafer онлайн производство

(22)

Приборы кремниевой пластины MEMS JDCD06-001-003 4-Inch, интегральные схемаы, преданные субстраты для дискретных приборов
контакт

Подробнее

2023-02-17 11:57:25

Микроэлектронная кремниевая эпитаксиальная пластина 279um Основная подложка
контакт

Подробнее

2022-09-27 16:51:53

4" 5" 6" тип p вафли Si/тип n бора/как тип/Sb n
контакт

Подробнее

2022-09-27 16:54:01

JDCD06-001-004 5-дюймовые МЭМС-устройства на кремниевых пластинах, интегральные схемы, специальные подложки для дискретных устройств
контакт

Подробнее

2023-02-17 11:59:11

JDCD06-001-006 8-дюймовые МЭМС-устройства на кремниевых пластинах, интегральные схемы, специальные подложки для дискретных устройств
контакт

Подробнее

2023-02-17 12:00:49

Приборы кремниевой пластины MEMS JDCD06-001-007 12-Inch, интегральные схемаы, преданные субстраты для дискретных приборов
контакт

Подробнее

2023-02-17 12:01:45

Полупроводниковые приборы вафля 8" 12" субстрата кремния 2 дюймов
контакт

Подробнее

2022-09-27 16:53:03

Кремний поверхность вафли 8 дюймов закончил P/E P/P e/НАПРИМЕР /G
контакт

Подробнее

2023-02-17 12:41:33

JDCD06-001-002 3-дюймовые МЭМС-устройства на кремниевых пластинах, интегральные схемы, специальные подложки для дискретных устройств
контакт

Подробнее

2023-02-17 11:53:04

775um 725um 675um полупроводниковые устройства вафли 8 дюймов
контакт

Подробнее

2022-09-27 16:50:19

Page 2 of 3|< << 1 2 3 >> >|

около

Вафля GaN эпитаксиальная: Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI; Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см; 2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная: Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм; край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум; C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский

Оставить сообщение