Главная страница Продукцияcz silicon wafer онлайн производитель

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(65)

Вафля Sic эпитаксиальная
(39)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Сертификация

КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

cz silicon wafer онлайн производство

(22)

Кремниевая пластина 5" CZ метода роста ориентация <1-0-0>, <1-1-1>, <1-1-0>
контакт

Growth Method CZ Silicon Wafer Orientation ,, 2-Inch Silicon Wafer MEMS Devices, Integrated Circuits,Dedicated Substrates For Discrete Devices Overview Silicon wafers after cutting have sharp edges, and they ... Подробнее

2022-09-27 16:53:40

Тип тип n n Sb как кремниевая пластина 6 дюймов 8 дюймов
контакт

Growth Method CZ Silicon Wafer Standard ± 25μm,Maximum Capabilities ± 5μm 2-Inch Silicon Wafer MEMS Devices, Integrated Circuits,Dedicated Substrates For Discrete Devices Overview Nearly all the electronic ... Подробнее

2023-02-17 12:43:17

Основное 2" μm <10 максимальное Capabilities<5um кремниевой пластины стандартное
контакт

Prime 2" Silicon Wafer TTV(μm) Standard Подробнее

2022-09-27 16:52:11

Приборы кремниевой пластины MEMS JDCD06-001-003 4-Inch, интегральные схемаы, преданные субстраты для дискретных приборов
контакт

4-inch silicon wafer MEMS devices, integrated circuits,dedicated substrates for discrete devices A silicon wafer is a material essential for manufacturing semiconductors, which are found in all kinds of ... Подробнее

2025-04-04 22:43:44

JDCD06-001-004 5-дюймовая кремниевая пластина MEMS устройства интегрированные схемы специальные подложки для дискретных устройств
контакт

5-inch silicon wafer MEMS devices, integrated circuits,dedicated substrates for discrete devices Overview Although silicon crystals may look metallic, they are not entirely metals. Due to the "free electrons" ... Подробнее

2025-04-27 11:43:51

JDCD06-001-006 8-дюймовый кремниевый пластинка MEMS устройства интегральные схемы специальные подложки для дискретных устройств
контакт

8-inch silicon wafer MEMS devices, integrated circuits,dedicated substrates for discrete devices Overview In electronics, Silicon wafers (also known as substrates) are thin slices of highly pure crystalline ... Подробнее

2025-04-27 11:43:51

JDCD06-001-007 12-дюймовый кремниевый пластинка MEMS устройства интегральные схемы выделенные подложки для дискретных устройств
контакт

12-inch silicon wafer MEMS devices, integrated circuits,dedicated substrates for discrete devices Overview A silicon wafer is a material essential for manufacturing semiconductors, which are found in all kinds ... Подробнее

2025-04-27 11:43:51

0,001-100 Ом-см Кремниевая пластина типа P Легирующая присадка бора
контакт

0.001-100 ohm-cm Silicon Wafer Particle Подробнее

2022-09-27 16:52:32

JDCD06-001-005 6-дюймовые кремниевые пластинки MEMS устройства интегральные схемы специальные подложки для дискретных устройств
контакт

6-inch silicon wafer MEMS devices, integrated circuits,dedicated substrates for discrete devices Overview Silicon is typically found compounded with other elements. Silicon elements are able to bind atoms ... Подробнее

2025-04-27 11:43:51

JDCD06-001-002 3-дюймовые МЭМС-устройства на кремниевых пластинах, интегральные схемы, специальные подложки для дискретных устройств
контакт

3-inch silicon wafer MEMS devices, integrated circuits,dedicated substrates for discrete devices Overview Silicon wafers act as a substrate for microelectronic devices and are especially useful in building ... Подробнее

2025-04-04 22:43:44

Page 1 of 3|< << 1 2 3 >> >|

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

cz silicon wafer онлайн производство

Кремниевая пластина 5" CZ метода роста ориентация <1-0-0>, <1-1-1>, <1-1-0>
контакт

Тип тип n n Sb как кремниевая пластина 6 дюймов 8 дюймов
контакт

Основное 2" μm <10 максимальное Capabilities<5um кремниевой пластины стандартное
контакт

Приборы кремниевой пластины MEMS JDCD06-001-003 4-Inch, интегральные схемаы, преданные субстраты для дискретных приборов
контакт

JDCD06-001-004 5-дюймовая кремниевая пластина MEMS устройства интегрированные схемы специальные подложки для дискретных устройств
контакт

JDCD06-001-006 8-дюймовый кремниевый пластинка MEMS устройства интегральные схемы специальные подложки для дискретных устройств
контакт

JDCD06-001-007 12-дюймовый кремниевый пластинка MEMS устройства интегральные схемы выделенные подложки для дискретных устройств
контакт

0,001-100 Ом-см Кремниевая пластина типа P Легирующая присадка бора
контакт

JDCD06-001-005 6-дюймовые кремниевые пластинки MEMS устройства интегральные схемы специальные подложки для дискретных устройств
контакт

JDCD06-001-002 3-дюймовые МЭМС-устройства на кремниевых пластинах, интегральные схемы, специальные подложки для дискретных устройств
контакт

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский