Пожалуйста, оставьте свой правильный адрес электронной почты и подробные требования.

Хорошо

Главная страница Продукцияelectronic hall effect sensor tester онлайн производитель

Все продукты

Вафля GaN эпитаксиальная
(62)

Вафля Sic эпитаксиальная
(28)

Эпи-пластина GaAs
(15)

CVD-алмазные подложки
(15)

Быстрая термальная обжигая система
(2)

Тестер датчика Холла
(3)

Вафля нитрида алюминия
(21)

Обломок лазерного диода
(10)

Кремниевый карбид Кристл
(12)

Ga2O3 пластина
(13)

кремниевая пластина
(26)

Вафля сапфира
(19)

Сделанные по образцу субстраты сапфира
(10)

Держатель вафли тефлона
(1)

Машина для нарезки вафель
(5)

Сертификация

КИТАЙ Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. Сертификаты

Оставьте нам сообщение

electronic hall effect sensor tester онлайн производство

(3)

Измерение резистивности подвижности тестера датчика эффекта Холла коэффициента Hall
контакт

Подробнее

2022-10-09 09:55:01

Измерение концентрации несущей тестера датчика эффекта Холла материалов полупроводника
контакт

Подробнее

2022-09-22 16:41:29

Индустрия полупроводника тестера датчика эффекта Холла концентрации несущей
контакт

Подробнее

2022-09-22 16:41:40

Page 1 of 1

Вафля GaN эпитаксиальная

Вафля Sic эпитаксиальная

Эпи-пластина GaAs

CVD-алмазные подложки

Быстрая термальная обжигая система

Тестер датчика Холла

Вафля нитрида алюминия

Обломок лазерного диода

Кремниевый карбид Кристл

Ga2O3 пластина

кремниевая пластина

Вафля сапфира

Сделанные по образцу субстраты сапфира

Держатель вафли тефлона

Машина для нарезки вафель

electronic hall effect sensor tester онлайн производство

Измерение резистивности подвижности тестера датчика эффекта Холла коэффициента Hall
контакт

Измерение концентрации несущей тестера датчика эффекта Холла материалов полупроводника
контакт

Индустрия полупроводника тестера датчика эффекта Холла концентрации несущей
контакт

Вафля GaN эпитаксиальная

Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI

Fe дал допинг резистивности субстратов GaN > 10 ⁶ Ω·Приборы RF см

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

Вафля Sic эпитаксиальная

Скошенная эпитаксиальная пластина SiC 150,0 мм +0 мм/-0,2 мм 350,0 мкм ± 25,0 мкм

край вафли СиК кристаллической формы 4Х эпитаксиальный скашивая ± 25.0ум 350.0ум

C-стороны вафли одиночного Кристл SiC CMP Si-стороны эпитаксиальной оптически польский