Эпитаксиальная пластина GaN 375 мкм Отдельно стоящие подложки U-GaN SI-GaN

ГаН эпивафер

November 18, 2024

Чат

Качественная газиновая эпитаксиальная вафель из Китая.
https://www.epi-wafers.com/china-375_um_gan_epitaxial_wafer_free_standing_u_gan_si_gan_substrates-31468913.html
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. производитель качественного оборудования из Китая.
Мы можем предоставить:
GaN Epitaxial Wafer: https://www.epi-wafers.com/supplier-gan_epitaxial_wafer-3081161.html
SiC Epitaxial Wafer: https://www.epi-wafers.com/supplier-sic_epitaxial_wafer-3081162.html
GaAs Epi Wafer: https://www.epi-wafers.com/supplier-gaas_epi_wafer-3081169.html
Добро пожаловать на наш официальный сайт: http://www.epi-wafers.com

Вафля GaN эпитаксиальная Вафля полупроводника нитрида галлия Свободные стоящие субстраты GaN Голубая вафля СИД GaN эпитаксиальная

Эпитаксиальная пластина GaN 375 мкм Отдельно стоящие подложки U-GaN SI-GaN

4-дюймовый легированный UID GaN N-типа на сапфировой пластине SSP Удельное сопротивление > 0,5 Ом·см Светодиод, лазер, эпитаксиальная пластина PIN

4-дюймовый голубой светодиод GaN, эпитаксиальная пластина C, плоский сапфир

толщина 325ум 375ум вафли ГаН стороны 5 кс 10 мм2 м эпитаксиальная

Эпитаксиальная пластина GaN 375 мкм Отдельно стоящие подложки U-GaN SI-GaN

10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Макродефект плотность 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Сопротивление 106 Ω·Cm Устройства для радиочастотного облучения

Дисплей для упаковки галлиевого нитрида для вафеля GaN субстрата

Вы знаете, как отличить переднюю и заднюю части GaN?

2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN

625um до 675um 4 дюйма Синий светодиод галлиевого нитрида GaN Эпитаксиальная пластина на сапфире SSP Плоский сапфир

Система быстрой термической отжига представлена на выставке