2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN
Качественная газификационная эпитаксиальная вафель из Китая.
https://www.epi-wafers.com/china-2_inch_free_standing_si_gan_substrates-31468952.html
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. производитель качественного оборудования из Китая.
Мы можем предоставить:
GaN Epitaxial Wafer: https://www.epi-wafers.com/supplier-gan_epitaxial_wafer-3081161.html
SiC Epitaxial Wafer: https://www.epi-wafers.com/supplier-sic_epitaxial_wafer-3081162.html
GaAs Epi Wafer: https://www.epi-wafers.com/supplier-gaas_epi_wafer-3081169.html
Добро пожаловать на наш официальный сайт: http://www.epi-wafers.com
https://www.epi-wafers.com/china-2_inch_free_standing_si_gan_substrates-31468952.html
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd. производитель качественного оборудования из Китая.
Мы можем предоставить:
GaN Epitaxial Wafer: https://www.epi-wafers.com/supplier-gan_epitaxial_wafer-3081161.html
SiC Epitaxial Wafer: https://www.epi-wafers.com/supplier-sic_epitaxial_wafer-3081162.html
GaAs Epi Wafer: https://www.epi-wafers.com/supplier-gaas_epi_wafer-3081169.html
Добро пожаловать на наш официальный сайт: http://www.epi-wafers.com
Вафля GaN эпитаксиальная
Вафля полупроводника нитрида галлия
Свободные стоящие субстраты GaN
Голубая вафля СИД GaN эпитаксиальная
-
GaN 2 дюйма Нитрид галлия однокристаллический субстрат
Контакт -
Субстраты SI GaN субстратов 2 дюймов u GaN 50.8mm
Контакт -
2-дюймовые отдельно стоящие подложки SI-GaN
Контакт -
Fe стороны c вафли 2inch GaN эпитаксиальный дал допинг типу свободному положению SI
Контакт -
10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Макродефект плотность 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Сопротивление 106 Ω·Cm Устройства для радиочастотного облучения
Контакт
Родственные видео
Эпитаксиальная пластина GaN 375 мкм Отдельно стоящие подложки U-GaN SI-GaN
ГаН эпивафер
November 18, 2024
