Sorry! This product is no longer available.

Let's see if there are any related products that interest you
product is no longer available.
Рекомендуемые продукты
SP-Face 11-12 Недопированный N-тип свободностоящий GaN однокристаллический субстрат Сопротивляемость 0,05 Ω·cm Макродефект плотность 0cm−2

SP-Face 11-12 Недопированный N-тип свободностоящий GaN однокристаллический субстрат Сопротивляемость 0,05 Ω·cm Макродефект плотность 0cm−2

JDCD10-001-002 2 дюйма ГаА (100) Си допированные субстраты

JDCD10-001-002 2 дюйма ГаА (100) Си допированные субстраты

JDCD10-001-003 2 дюйма GaAs ((100) Zn Допированные субстраты

JDCD10-001-003 2 дюйма GaAs ((100) Zn Допированные субстраты

JDCD10-001-004 2 дюйма GaAs (111) Си допированные субстраты

JDCD10-001-004 2 дюйма GaAs (111) Си допированные субстраты

JDCD10-001-005 2 дюйма GaAs ((111) Zn Допированные субстраты

JDCD10-001-005 2 дюйма GaAs ((111) Zn Допированные субстраты

JDCD04-001-007 10x10 мм2 (010) Легированная оловом отдельно стоящая монокристаллическая подложка Ga2O3 Класс продукта Одинарная полировка

JDCD04-001-007 10x10 мм2 (010) Легированная оловом отдельно стоящая монокристаллическая подложка Ga2O3 Класс продукта Одинарная полировка

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe Допированный свободно стоящий Ga2O3 Однокристаллический субстрат Уровень продукта Однопольная полировка

JDCD04-001-003 10x10mm2 100 ((Off 6°) Fe Допированный свободно стоящий Ga2O3 Однокристаллический субстрат Уровень продукта Однопольная полировка

JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-дало допинг свободно стоящему Ga2O3 одиночному Кристл продукт субстрата ранг одиночный полировать

JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-дало допинг свободно стоящему Ga2O3 одиночному Кристл продукт субстрата ранг одиночный полировать

350 ± 25μm Толщина Недопированный свободно стоящий однокристаллический субстрат GaN N-типа с TTV ≤ 10μm и сопротивлением 0,1 Ω·cm

350 ± 25μm Толщина Недопированный свободно стоящий однокристаллический субстрат GaN N-типа с TTV ≤ 10μm и сопротивлением 0,1 Ω·cm

5*10mm2 SP-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate 20-21 / 20-2-1 10mm2 Сопротивляемость 0,05 Ω·cm

5*10mm2 SP-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate 20-21 / 20-2-1 10mm2 Сопротивляемость 0,05 Ω·cm

JDCD06-001-005 6-дюймовые кремниевые пластинки MEMS устройства интегральные схемы специальные подложки для дискретных устройств

JDCD06-001-005 6-дюймовые кремниевые пластинки MEMS устройства интегральные схемы специальные подложки для дискретных устройств

JDCD06-001-004 5-дюймовая кремниевая пластина MEMS устройства интегрированные схемы специальные подложки для дискретных устройств

JDCD06-001-004 5-дюймовая кремниевая пластина MEMS устройства интегрированные схемы специальные подложки для дискретных устройств

10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Макродефект плотность 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Сопротивление 106 Ω·Cm Устройства для радиочастотного облучения

10*10,5mm2 C-Face Fe-Doped SI-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Макродефект плотность 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Сопротивление 106 Ω·Cm Устройства для радиочастотного облучения

JDCD06-001-006 8-дюймовый кремниевый пластинка MEMS устройства интегральные схемы специальные подложки для дискретных устройств

JDCD06-001-006 8-дюймовый кремниевый пластинка MEMS устройства интегральные схемы специальные подложки для дискретных устройств

JDCD06-001-007 12-дюймовый кремниевый пластинка MEMS устройства интегральные схемы выделенные подложки для дискретных устройств

JDCD06-001-007 12-дюймовый кремниевый пластинка MEMS устройства интегральные схемы выделенные подложки для дискретных устройств

Устройство питания 5x10mm2 Недопированный N-тип свободно стоящий однокристаллический субстрат GaN с сопротивлением 0,1 Ω·cm и BOW в пределах 10μm

Устройство питания 5x10mm2 Недопированный N-тип свободно стоящий однокристаллический субстрат GaN с сопротивлением 0,1 Ω·cm и BOW в пределах 10μm

5x10mm2 SP-Face 10-11 Недопированный N-тип свободностоящий однокристаллический субстрат GaN с TTV ≤ 10μm Сопротивляемость 0,05 Ω·cm

5x10mm2 SP-Face 10-11 Недопированный N-тип свободностоящий однокристаллический субстрат GaN с TTV ≤ 10μm Сопротивляемость 0,05 Ω·cm

5*10mm2 SP-Face 10-11 Недопированный N-тип свободно стоящий GaN однокристаллический субстрат 0,1 Ω·cm Сопротивляемость для силового устройства

5*10mm2 SP-Face 10-11 Недопированный N-тип свободно стоящий GaN однокристаллический субстрат 0,1 Ω·cm Сопротивляемость для силового устройства

Макродефект плотность 0cm−2 Недопированный SI-тип свободностоящий GaN однокристаллический субстрат для радиочастотных устройств 5*10mm2 M-Face

Макродефект плотность 0cm−2 Недопированный SI-тип свободностоящий GaN однокристаллический субстрат для радиочастотных устройств 5*10mm2 M-Face

TTV ≤ 10μm A-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Сопротивляемость 0,1 Ω·cm Мощное устройство/Лазер W

TTV ≤ 10μm A-Face Un-Doped N-Type Free-Standing GaN Single Crystal Substrate Сопротивляемость 0,1 Ω·cm Мощное устройство/Лазер W